二氧化硅薄膜膜厚標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)

Thin Film Thickness CRM of SiO2/Si

    二氧化硅薄膜膜厚標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)用于校準(zhǔn)表面分析設(shè)備如俄歇電子光譜儀、X 射線光電能譜儀及二 次離子質(zhì)譜儀的濺射速率，薄膜厚度測量設(shè)備如橢偏儀，確保這些設(shè)備在 10 nm ~100 nm 范圍測量 時量值準(zhǔn)確性、可比性，滿足納米材料及器件設(shè)計、制造等單位的需求。

一、樣品制備

    采用 ICP-CVD 生長方法，在 Si(100)基底上生長膜厚名義量值為 10 nm 的 SiO2，切割為 20 mm×20 mm 的正方形，經(jīng)定值測量后采用鋁箔包裝袋真空包裝。

二、溯源性及定值方法

    采用掠入射 X 射線反射技術(shù)為樣品定值，此設(shè)備為計量校準(zhǔn)裝置，角度溯源至多齒分度臺標(biāo)準(zhǔn) 裝置，入射光波長溯源至單晶硅晶格參數(shù)。通過使用滿足計量學(xué)特性要求的測量方法和計量器具保 證其量值溯源性。

三、特性量值及不確定度

    標(biāo)準(zhǔn)值不確定度包括測量過程、測量設(shè)備、均勻性及穩(wěn)定性引入的不確定度分量。

四、均勻性檢驗(yàn)及穩(wěn)定性考察

    依據(jù) JJF1343-2012《標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)定值的通用原則及統(tǒng)計學(xué)原理》要求，對該標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)樣品隨機(jī)抽 樣進(jìn)行均勻性檢驗(yàn)和穩(wěn)定性檢驗(yàn)。

    采用橢偏儀檢驗(yàn)均勻性，掠入射 X 射線反射技術(shù)檢驗(yàn)穩(wěn)定性。每片樣品取 15 點(diǎn)測量，每組數(shù) 據(jù)均以 F 檢驗(yàn)法進(jìn)行統(tǒng)計檢驗(yàn)。穩(wěn)定性檢驗(yàn) 12 個月，以 t 檢驗(yàn)法進(jìn)行統(tǒng)計檢驗(yàn)。

    檢驗(yàn)結(jié)果表明該標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)均勻性、穩(wěn)定性良好，其有效期暫定為一年。研制單位將繼續(xù)跟蹤監(jiān) 測該標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的穩(wěn)定性，有效期內(nèi)如發(fā)現(xiàn)量值變化，將及時通知用戶。

五、包裝、儲存及使用 

    包裝：本標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的內(nèi)包裝為半導(dǎo)體封裝盒，外包裝為鋁箔真空袋，每包裝為一片，20  mm ×´ 20mm；保存條件：真空包裝，陰涼、干燥處存放；使用注意事項：樣品開封使用應(yīng)保證取樣工具等潔凈，避免樣品沾污。

聲明

1．本標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)僅供實(shí)驗(yàn)室研究與分析測試工作使用。因用戶使用或儲存不當(dāng)所引起的投訴，不予承擔(dān)責(zé)任。

2．收到后請立即核對品種、數(shù)量和包裝，相關(guān)賠償只限于標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)本身，不涉及其他任何損失。

3．僅對加蓋“中國計量科學(xué)研究院標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)專用章”的完整證書負(fù)責(zé)。請妥善保管此證書。

4．如需獲得更多與應(yīng)用有關(guān)的信息，請與技術(shù)咨詢部門聯(lián)系。

注：以上信息僅供參考，以產(chǎn)品附帶證書為準(zhǔn)。