氮化硅薄膜膜厚標準物質(zhì)

Thin Film Thickness CRM of Si/Si3N4

    氮化硅薄膜膜厚標準物質(zhì)用于校準表面分析設(shè)備如俄歇電子光譜儀、X 射線光電能譜儀及二次離子質(zhì)譜儀的濺射速率，薄膜厚度測量設(shè)備如橢偏儀，確保這些設(shè)備在 50 nm~200 nm 范圍測量時量值準確性、可比性，滿足納米材料及器件設(shè)計、制造等單位的需求。

一、樣品制備

    采用 ICP-CVD 生長方法，在 Si(100)基底上生長膜厚名義量值為 100 nm 的 Si3N4，切割為 20 mm×20 mm 的正方形，經(jīng)定值測量后采用鋁箔包裝袋真空包裝。

二、溯源性及定值方法

    采用掠入射 X 射線反射技術(shù)為樣品定值，此設(shè)備為計量校準裝置，角度溯源至多齒分度臺標準裝置，入射光波長溯源至單晶硅晶格參數(shù)。通過使用滿足計量學特性要求的測量方法和計量器具保證其量值溯源性。

三、特性量值及不確定度

    標準值不確定度包括測量過程、測量設(shè)備、均勻性及穩(wěn)定性等不確定度分量。

四、均勻性檢驗及穩(wěn)定性考察

    依據(jù) JJF1343-2012《標準物質(zhì)定值的通用原則及統(tǒng)計學原理》要求，對該標準物質(zhì)樣品隨機抽樣進行均勻性檢驗和穩(wěn)定性檢驗。

    采用橢偏儀檢驗均勻性，掠入射 X 射線反射技術(shù)檢驗穩(wěn)定性。每片樣品取 15 點測量，每組數(shù)據(jù)均以 F 檢驗法進行統(tǒng)計檢驗。穩(wěn)定性檢驗 12 個月，以 t 檢驗法進行統(tǒng)計檢驗。

    檢驗結(jié)果表明該標準物質(zhì)均勻性、穩(wěn)定性良好。研制單位將繼續(xù)跟蹤監(jiān)測該標準物質(zhì)的穩(wěn)定性， 有效期內(nèi)如發(fā)現(xiàn)量值變化，將及時通知用戶。

五、包裝、儲存及使用

    包裝：本標準物質(zhì)的內(nèi)包裝為半導體封裝盒，外包裝為鋁箔真空袋，每包裝為一片，20 mm×20mm；保存條件：真空包裝，陰涼、干燥處存放；使用注意事項：樣品開封使用應(yīng)保證取樣工具等潔凈避免沾污。

聲明

1．本標準物質(zhì)僅供實驗室研究與分析測試工作使用。因用戶使用或儲存不當所引起的投訴，不予承擔責任。

2．收到后請立即核對品種、數(shù)量和包裝，相關(guān)賠償只限于標準物質(zhì)本身，不涉及其他任何損失。

3．僅對加蓋“中國計量科學研究院標準物質(zhì)專用章”的完整證書負責。請妥善保管此證書。

4．如需獲得更多與應(yīng)用有關(guān)的信息，請與技術(shù)咨詢部門聯(lián)系。

注：以上信息僅供參考，以產(chǎn)品附帶證書為準。