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二氧化硅納米薄膜厚度標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)
CRMs for Thickness of SiO2 Nanosized Thin Layers
本標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)主要用于薄膜厚度測量和表面化學(xué)分析(深度剖析)儀器設(shè)備的檢定/校準(zhǔn)、分析方法的確認(rèn)與評價、技術(shù)仲裁測量以及測量質(zhì)量控制等。
一、樣品制備
本標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)系通過原子層沉積技術(shù)在單晶硅基底上生長二氧化硅納米薄膜成批制備而成,切割形成正方形片狀樣品(10mm×10mm×0.7mm)。
二、溯源性及定值方法
本標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)采用兩種國際公認(rèn)的不同原理方法(掠入射X 射線反射測量和橢偏測量)進(jìn)行定值。通過使用滿足計(jì)量學(xué)特性要求的測量方法和計(jì)量器具,保證其溯源性。
三、特性量值及不確定度
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編號 |
標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)名稱 |
標(biāo)準(zhǔn)值(nm) |
擴(kuò)展不確定度(nm,k=2) |
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GBW 13965 |
二氧化硅納米薄膜厚度標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì) |
9.92 |
0.40 |
標(biāo)準(zhǔn)值不確定度由兩種不同原理方法定值過程引入的不確定度以及標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)穩(wěn)定性和均勻性引入的不確定度等組成。
四、均勻性檢驗(yàn)及穩(wěn)定性考察
參照J(rèn)JF 1343-2012《標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)定值的通用原則及統(tǒng)計(jì)學(xué)原理》,隨機(jī)抽取標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)樣品 15 片,采用橢偏測量檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的均勻性,單因素方差分析結(jié)果表明標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)均勻性良好。
本標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)自定值日期起,在規(guī)定的貯存條件下有效期 2 年。
研制單位將繼續(xù)跟蹤監(jiān)測本標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的穩(wěn)定性。在有效期內(nèi),如果特性量值發(fā)生重大變化需重新定值,將及時通知購買者。
五、包裝、儲存及使用
本標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)固定放置在氟化聚丙烯圓盒中,圓盒真空密封包裝于鋁箔袋內(nèi),每盒 1 片。貯存在陰涼干燥的室溫環(huán)境條件下,運(yùn)輸過程中必須保持包裝的完整,使用過程中必須保持樣品表面清潔。
聲明
1.本標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)僅供實(shí)驗(yàn)室研究與分析測試工作使用。因用戶使用或儲存不當(dāng)所引起的投訴,不予承擔(dān)責(zé)任。
2.收到后請立即核對品種、數(shù)量和包裝,相關(guān)賠償只限于標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)本身,不涉及其他任何損失。
3.僅對加蓋章的完整證書負(fù)責(zé)。請妥善保管此證書。
4.如需獲得更多與應(yīng)用有關(guān)的信息,請與技術(shù)咨詢部門聯(lián)系。
注:以上信息僅供參考,以產(chǎn)品附帶證書為準(zhǔn)。
二氧化硅納米薄膜厚度標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)
編號:GBW13974 規(guī)格:1片 濃度:119.1
二氧化硅納米薄膜厚度標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)
編號:GBW13965 規(guī)格:1片 濃度:9.92
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