二氧化硅納米薄膜厚度標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)

CRMs for Thickness of SiO2 Nanosized Thin Layers

    本標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)主要用于薄膜厚度測(cè)量和表面化學(xué)分析（深度剖析）儀器設(shè)備的檢定/校準(zhǔn)、分析方法的確認(rèn)與評(píng)價(jià)、技術(shù)仲裁測(cè)量以及測(cè)量質(zhì)量控制等。

一、樣品制備

    本標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)系通過(guò)原子層沉積技術(shù)在單晶硅基底上生長(zhǎng)二氧化硅納米薄膜成批制備而成，切割形成正方形片狀樣品（10mm×10mm×0.7mm）。

二、溯源性及定值方法

    本標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)采用兩種國(guó)際公認(rèn)的不同原理方法（掠入射X 射線反射測(cè)量和橢偏測(cè)量）進(jìn)行定值。通過(guò)使用滿足計(jì)量學(xué)特性要求的測(cè)量方法和計(jì)量器具，保證其溯源性。

三、特性量值及不確定度

    標(biāo)準(zhǔn)值不確定度由兩種不同原理方法定值過(guò)程引入的不確定度以及標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)穩(wěn)定性和均勻性引入的不確定度等組成。

四、均勻性檢驗(yàn)及穩(wěn)定性考察

    參照J(rèn)JF 1343-2012《標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)定值的通用原則及統(tǒng)計(jì)學(xué)原理》，隨機(jī)抽取標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)樣品 15 片，采用橢偏測(cè)量檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的均勻性，單因素方差分析結(jié)果表明標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)均勻性良好。

    本標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)自定值日期起，在規(guī)定的貯存條件下有效期 2 年。

    研制單位將繼續(xù)跟蹤監(jiān)測(cè)本標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的穩(wěn)定性。在有效期內(nèi)，如果特性量值發(fā)生重大變化需重新定值，將及時(shí)通知購(gòu)買(mǎi)者。

五、包裝、儲(chǔ)存及使用

    本標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)固定放置在氟化聚丙烯圓盒中，圓盒真空密封包裝于鋁箔袋內(nèi)，每盒 1 片。貯存在陰涼干燥的室溫環(huán)境條件下，運(yùn)輸過(guò)程中必須保持包裝的完整，使用過(guò)程中必須保持樣品表面清潔。

聲明

1.本標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)僅供實(shí)驗(yàn)室研究與分析測(cè)試工作使用。因用戶使用或儲(chǔ)存不當(dāng)所引起的投訴，不予承擔(dān)責(zé)任。

2.收到后請(qǐng)立即核對(duì)品種、數(shù)量和包裝，相關(guān)賠償只限于標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)本身，不涉及其他任何損失。

3.僅對(duì)加蓋“中國(guó)計(jì)量科學(xué)研究院標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)專(zhuān)用章”的完整證書(shū)負(fù)責(zé)。請(qǐng)妥善保管此證書(shū)。

4.如需獲得更多與應(yīng)用有關(guān)的信息，請(qǐng)與技術(shù)咨詢部門(mén)聯(lián)系。

注：以上信息僅供參考，以產(chǎn)品附帶證書(shū)為準(zhǔn)。